Asrock timing configurator ошибка при запуске

Куратор(ы):  

BY_Pashka   

Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения

Лаборатория

All things overclocking go here. Learn to overclock, ask experienced users your questions, boast your rock-stable, sky-high OC and help others!

---

Members

Online

Have a question about this project? Sign up for a free GitHub account to open an issue and contact its maintainers and the community.

Pick a username

Email Address

Password

By clicking “Sign up for GitHub”, you agree to our terms of service and
privacy statement. We’ll occasionally send you account related emails.

Already on GitHub?
Sign in
to your account

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

• Подготовка
• Ожидания и ограничения
  • Материнская плата
  • Микросхемы
    • Отчёты Thaiphoon Burner
    • О рангах и объёме
    • Масштабирование напряжения
    • Ожидаемая максимальная частота
    • Биннинг
    • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
    • Ранговость
  • Встроенный контроллер памяти (IMC)
    • Intel – LGA1151
    • AMD – AM4
• Разгон
  • Нахождение максимальной частоты
  • Пробуем повысить частоты
  • Оптимизация таймингов
  • Дополнительные советы
    • Intel
    • AMD

Подготовка

• Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
• Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
• Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
• С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
• Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
• TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
• Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:Extreme1@anta777».
• Благодарность: u/nucl3arlion
• Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
  • Intel: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством материнских плат, за исключением EVGA).
  • AMD:
    • Ryzen 1000/2000: Ryzen Timing Checker.
    • Ryzen 3000: Ryzen Master.
• Бенчмарки (тесты производительности):
  • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
  • MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
  • Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
  • HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

• Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
• На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
  • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
  • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
  • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
  • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

  Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

  Микросхемы (чипы памяти)

  Отчёты Thaiphoon Burner

  • Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

  

  • Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

  

  По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

  • Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

  

  О рангах и объёме

  • Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
  • Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

  Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

  
  Масштабирование напряжения CL11

  На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

  Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

  Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
  8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
  8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
  8 Гб Rev. E	Да	Нет	Да	?
  8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да

  Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

  
  Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

  Ожидаемая максимальная частота

  Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

  Чип	Ожидаемая максимальная частота (МГц)
  8 Гб AFR	3600
  8 Гб CJR	4000*
  8 Гб Rev. E	4000+
  8 Гб B-die	4000+

  * – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

  Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

  Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

  Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

  B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

  Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

  Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

  А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

  Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

  Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

  Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

  Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

  Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

  Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

  • 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die. На основе оценок buildzoid’а.

  Встроенный контроллер памяти (IMC)

  IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

  Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:

  
  предоставлено: Silent_Scone.

  Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

  Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

  Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
  3000-3600	1,10 – 1,15
  3600-4000	1,15 – 1,20
  4000+	1,20 – 1,25

  Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

  tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

  В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

  Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

  В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

  SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

  На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

  «На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые тайминги.

Нахождение максимальной частот

На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

• Asrock: VID для разгона SoC у AMD в подменю BIOS скрыты. Значения VID (Voltage ID).
• Asus: VDDCR SOC.
• Gigabyte: Dynamic Vcore SOC.

Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.

В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

• Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ. У меня 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14 Гб.
• Минимальные рекомендуемые значения Coverage:
  • MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
  • Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

  6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

  7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

  8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

  Пробуем повысить частоты

  2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
  3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
  4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
  5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

  Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы

  Оптимизация таймингов

  Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.

  • Я бы рекомендовал выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.
  • Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = ddr_freq*num_channels*64/8.

  Частота (МГц)	Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
  3000	48000
  3200	51200
  3400	54440
  3466	55456
  3600	57600
  3733	59728
  3800	60800
  4000	64000

  • Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-95% от теоретической максимальной пропускной способности.

  На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)

  • Попробуйте отключить GDM и установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте GDM включенным.
  • Попробуйте установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте CR в 2Т.

  2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

  Тайминги	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRRDS tRRDL tFAW	6 6 24	4 6 16	4 4 16
  tWR	16	12	10

  3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).

  • Начинайте с tCL и уменьшайте его на 1 до появления нестабильности.
  • То же самое проделайте с tRCD и tRP.
  • После того, как вышеупомянутые тайминги будут подтянуты до предела, выставите tRAS по формуле tRAS=tCL+tRCD(RD)+2* и tRC по формуле tRC=tRP+tRAS.
    • Если tRAS будет ниже, то возникнут проблемы с производительностью.
    • Установка tRC доступна только в UEFI AMD и некоторых Intel.
    • * – Для Micron Rev. E, похоже, нужно выставлять tRAS=tCL+tRCD(RD)+4 (ну, по крайней мере для моих планок так).

  4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

  • Перевод в нс: 2000*timing/ddr_freq. Пример: tRFC 250 на 3200 МГц = 2000*250/3200 = 156,25 нс.
  • Перевод из нс: ns*ddr_freq/2000. Пример: 180 нс на 3600 МГц = 180*3600/2000 = 324.

  Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

  Чип	tRFC (нс)
  8 Гб AFR	260-280
  8 Гб CJR	260-280
  8 Гб Rev. E	300-350
  8 Гб B-die	160-180

  5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tWTRS tWTRL	4 12	4 8	—
  tRTP	12	10	8
  tCWL	tCL	tCL-1	tCL-2

  На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.

  6. Третьестепенные тайминги:

  Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

  Я предлагаю так:

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

  Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRDRD_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6
  tWRWR_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6

  • О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 5.
  • Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9.
  • Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг.

  А тут тайминги на B-die, к сведению.

  tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.

  Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.

  7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

  Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX

  Дополнительные советы

  • Увеличение частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, 3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и 3200 16-18-18, однако 3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью.
  • Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на частоте 3200 МГц, то скорее всего они и на 3600 МГц будут работать так же, и даже на 4000 МГц, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.
  • Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на частотах выше 3600 МГц.
  • Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.
  • Для уменьшения значений RTL и IOL следует увеличивать значения IOL-офсетов (IOL offsets). Подробнее здесь (англ.)
  • Пользователям материнских плат Asus Maximus, имеющим проблемы с загрузкой, стоит попробовать настроить значения управления перекосами (skew). Подробнее здесь (англ.)
  • Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом. На Ryzen 3000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. С ними согласуются настройки, предлагаемые пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.
  • Понижение напряжения SoC может помочь восстановить стабильность.
  • На Ryzen 3000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на частотах выше 3600 МГц.

  Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

  Также будет интересно:

  • Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX (видео)

  Источник

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

1. Конфиг «Extreme» от anta777 (рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’.
2. Ссылка на сборку TM5 с множеством конфигов. 
3. Конфиг LMHz Universal 2
4. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

• Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
• Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.

Альтернативные варианты

GSAT

1. Установите WSL и Ubuntu.
2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W —pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), —pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

Karhu RAM Test (платная)

y-cruncher с вот этими настройками.

1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

«c:y-crunchery-cruncher.exe» pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

• Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
• В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

«c:prime95prime95.exe» -t

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: «c:prime95prime95.exe» -t -WRAM
5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

• Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
• Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

AMD: ZenTimings.

Бенчмарки (тест производительности)

• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
• xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
• PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

Например:

• DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
• DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

из чего и следует вывод, что у этих планок латентность одинаковая.

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

• Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
• Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM. 

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Примечание: Известно, что Thaiphoon не определяет чип, а лишь пытается угадать, поэтому ему не следует полностью доверять. Настоятельно рекомендуется обращать внимание на информацию, указанную в наклейке на модуле, если это возможно.

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

• Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
• Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем. 

Первая цифра – производитель:

• 3 = Micron
• 4 = Samsung
• 5 = Hynix
• 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

• 1 = 2 Гб
• 2 = 4 Гб
• 3 = 8 Гб
• 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

• Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
• Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
• Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
• Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

• Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
• Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
• Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
• И следующие 2 цифры – год изготовления.
• Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

Источник.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

• На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
• У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
• Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
• Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как ~DDR4-3333 CL14 при 1,40 В, ~DDR4-3533 CL14 при 1,45 В и DDR4-3733 CL14 при 1,50 В.

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

• Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

 B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон ~30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

• Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
• В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
• Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

Некоторые термины:

• MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
• FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
• UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
• На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
• В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
• SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
• С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте DDR4-3466 и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC =< 1.10 В.
Источник: The Stilt

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

Большинство вольтажей cLDO регулируются с двух главных шин питания процессора. В случае cLDO_VDDG и cLDO_VDDP они регулируются через VDDCR_SoC. Поэтому есть пара правил. Например, если вы установите VDDG на 1,10 В, а фактическое напряжение SoC под нагрузкой у вас составляет 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen	Ожидаемая частота (МГц)
1000	3000-3600
2000	3400-3800*
3000	3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

• Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
• Asus: VDDCR SOC;
• Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
• MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

• «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
• Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

• Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
• Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

• На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
• На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор. 

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

• MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
• Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на ~20%. При охвате тестирования (coverage) 6400% показатель обнаружения ошибок составляет 99,41%, а при длительности 1 час – 98,43% (Источник — раздел Kahru FAQ).
• TM5 с anta777 Extreme: 3 цикла. Время зависит от тестируемого объёма. Для 16 Гб RAM обычно требуется 1,5-2 часа. Если у вас 32 Гб, можно в 12-й строке конфиг-файла (Time(%)) сократить значение на половину, и у вас получится примерно такое же время выполнения, как и для 16 ГБ.
• OCCT Memory: по полчаса на тест SSE и на тест AVX.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

1. Intel:

• Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
• Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
• Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Ryzen 3000:

• Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
• Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Где:

• Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
• Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
• Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
• Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
• Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Частота (МГц)	Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
3000	48000
3200	51200
3400	54440
3466	55456
3600	57600
3733	59728
3800	60800
4000	64000

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

• На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. 
• Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Тайминги	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tRRDS tRRDL tFAW	6 6 24	4 6 16	4 4 16
tWR	16	12	10

• Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
• Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
• На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

• Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
• tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
• Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
• Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
• Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип	tRFC (нс)
Hynix 8 Гб AFR	260-280
Hynix 8 Гб CJR	260-280
8Gb DJR	260-280
Micron 8 Гб Rev. E	280-310
Micron 16 Гб Rev. B	290-310
Samsung 8 Гб B-Die	120-180
Samsung 8 Гб C-Die	300-340

• Чтобы найти крайнее стабильное значение tRFC для всех других чипов, рекомендую пользоваться методом сужения диапазона от половины. То есть, допустим, ваш tRFC составляет 630. Следующее значение tRFC, которое вы должны попробовать – половина этого значения (315). Если это нестабильно, то мы знаем, что искомое значение находится где-то между 315 и 630, поэтому пробуем среднее значение в этом диапазоне ((315 + 630) / 2 = 472,5, округляем до 472). Если это стабильно, значит, наш самый низкий tRFC находится где-то между 315 и 472, и так далее.
• Таблица tRFC от Reous (в конце страницы).

3. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tWTRS tWTRL	4 12	4 10	4 8
tRTP	12	10	8
tCWL*	tCL	tCL-1	tCL-2

• На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
• На Intel изменение tCWL повлияет на tWRRD_dg/sg и, следовательно, на tWTR_S/L. Если вы уменьшите tCWL на 1, вам нужно уменьшить tWRRD_dg/sg также на 1, чтобы сохранить те же значения tWTR. Обратите внимание, что это также может повлиять на tWR согласно взаимосвязи, описанной ранее.
• * Некоторые материнские платы плохо работают с нечетными значениями tCWL. Например, у меня стабильно работает 4000 15-19-19 при tCWL 14, но при tCWL 15 даже не проходит POST. И другие люди тоже сталкивались с этим. Некоторые материнки с виду нормальные, но на повышенных частотах тоже так же лагают (Asus). Установка вручную tCWL равным tCL, если tCL четный, или на единицу ниже, если tCL нечетный, должно помочь в этой ситуации. Например, если tCL = 18, пробуйте tCWL = 18 или 16, но если tCL = 17, то пробуйте tCWL = 16).
• В данном случае предельные (extreme) значения не являются действительно предельными. tRTP может опускаться и до 5 (до 6 при включенном режиме GDM, Gear Down Mode), а tWTRS/L можно опустить до 1/6. На некоторых платах tCWL может быть ниже tCL-6. Но имейте в виду, что это увеличивает нагрузку на контроллер памяти.
• На AMD tCWL часто устанавливается на tCL-2, но как известно, для этого требуется более высокий tWRRD.

4. Третьестепенные тайминги:

Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

Мы предлагаем так

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

Известно, что многие микросхемы имеют проблемы с низкими таймингами Serial Clock (SCL). Почти для всех, кроме таких как Samsung 8 Гб B-Die, чрезвычайно сложно достигать таких значений как 2. Не обязательно значения обоих таймингов должны быть равны, а также вполне приемлемо выставить значение 5. Можно по-всякому экспериментировать с неравными таймингами, но скорее всего именно tRDRDSCL получится на 1 или даже 2 значения больше. Значения выше 5 сильно снижают пропускную способность, поэтому их использование не рекомендуется.

Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых значений.

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tRDRD_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6
tWRWR_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6

• О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 3. Настройка tWRRD_dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности или снижения производительности.
• Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности или снижения производительности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9. Сильное перетягивание этих таймингов может привести к зависанию системы.
• Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг. Аналогично, dd учитывается только при использовании двух модулей DIMM на канал. Можно выставить их в 0 или 1, если хотите.
• Касаемо двуранговых планок (см. «О рангах и объёме»): tRDRD_dr/dd можно понизить до 5, что значительно увеличит пропускную способность чтения; При tWRWR_sg равном 6 пропускная способность записи может упасть по сравнению с 7, несмотря на сохранение стабильности.

5. Уменьшайте tCL на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, если включен режим GDM, уменьшайте tCL на 2.

6. На Intel, уменьшайте tRCD и tRP на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, уменьшайте tRCD на 1 до нестабильности. Повторите то же с tRP. Примечание: Для стабилизации сильно сниженного tRCD может потребоваться увеличение напряжения IMC.

7. Выставите tRAS равным tRCD(RD) + tRTP. Увеличьте, если нестабильно. Абсолютный минимум tRAS:

Здесь видно, что tRAS – это время между командами ACT и PRE.

• От ACT до READ = tRCD
• От READ до PRE = tRTP
• Соответственно, tRAS = tRCD + tRTP.

8. Выставите tRC равным tRP + tRAS. Увеличьте, если нестабильно. 

Настройка tRC доступна только в AMD и некоторых UEFI от Intel. В UEFI Intel на tRC, похоже, влияют tRP и tRAS, хоть он и скрыт.

• (1) tRP 19 tRAS 42 – полностью стабильно.
• (2) tRP 19 tRAS 36 – сразу ошибка.
• (3) tRP 25 tRAS 36 – стабильно при 500% охвата (coverage).
• В случаях (1) и (3) tRC равен 61 и не сказать, что это значение нестабильно. Однако в (2) tRC равен 55, и RAMTest тут же находит ошибку. Это говорит о том, что моя оперативная память может работать с низким tRAS, но не с низким tRC. Поскольку tRC скрыт, нужно увеличивать tRAS, чтобы увеличился tRC для получения стабильности.

9. Увеличивайте tREFI в пределах стабильной работы. Метод сужения диапазона от половины, описанный при поиске наименьшего tRFC, уместен и здесь.

Либо же используйте предлагаемые значения:

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tREFI	32768	40000	Максимум (65535 или 65534)

• Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
• Помните, что предельно высокий tREFI может повредить файлы, поэтому поднимайтесь с осторожностью.

10. И наконец, командный тайминг (Command Rate).

AMD:

Добиться стабильного CR1 при выключенном GDM может оказаться довольно сложно, но раз уж всерьёз занялись этим всем, то стоит попробовать. Если вы без проблем можете отключить GDM и имеете при этом стабильный CR1, ничего больше не трогая, то пропустите этот раздел.

CR 1 становится значительно труднее работать по мере увеличения частоты. Зачастую достичь более высоких частот помогает CR2. 

На AMD GDM (Gear Down Mode) имеет приоритет над Command Rate. По этой причине лучше отключить GDM для установки CR 2, чтобы сохранить общую стабильность.

• Один из вариантов – установить параметры Drive Strength на 60-20-20-24, а параметры Setup Time – на 63-63-63. Drive Strength параметры это: ClkDrvStr, AddrCmdDrvStr, CsOdtDrvStr и CkeDrvStr. А к параметрам Setup Time относятся: AddrCmdSetup, CsOdtSetup и CkeSetup.
• Если получаете отказ POST, отрегулируйте параметры Setup Time до тех пор, пока проблема не уйдёт. Лучше регулировать их все вместе, синхронно.
• Проведите тест памяти.
• Если нет стабильности, регулируйте сперва параметры Setup Time, а затем Drive Strength параметры.

Intel:

• Для модулей не выше DDR4-4400, попробуйте выставить CR на 1T. Если не сработает, оставьте CR на 2T.
• На платах Asus Maximus включение функции Trace Centering хорошо способствует адаптации работы CR 1T на более высоких частотах.

11. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Но не забывайте про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

Дополнительные материалы: 

Дополнительные советы

Увеличение эффективной частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, DDR4-3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и DDR4-3200 16-18-18, однако DDR4-3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью. Обычно это проявляется по окончании первоначальной настройки, а не через профиль XMP.

Кроме этого, частота должна быть приоритетнее низких таймингов, пока на производительность не оказывают негативного влияния синхронизация FCLK, Command Rate или режим Memory Gear.

Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на DDR4-3200, то скорее всего они и на DDR4-3600 будут работать так же, и даже на DDR4-4000, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.

Intel

Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на DDR4-3600 и выше. На латентности это сильно не отразится, зато может существенно повлиять на пропускную способность памяти при чтении/записи.

Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.

Оптимизировав тайминги, можно увеличить значения IOL-офсетов (IOL Offsets), чтобы понизить значения IOL. После этого обязательно проведите тест памяти. Более подробная информация здесь.

• В целом, значения RTL и IOL влияют на производительность памяти. Снижение этих значений позволяет увеличить пропускную способность и значительно снизить задержки. Более низкие значения в некоторых случаях также помогут повысить стабильность и снизить энергопотребление контроллера памяти. Некоторые платы очень хорошо умеют настраивать их самостоятельно. При этом одни платы позволяют пользователю легко менять параметры вручную, в то время как другие просто игнорируют любой пользовательский ввод.
• К попыткам вручную уменьшить пару RTL/IOL стоит прибегать в последнюю очередь, когда более ничего не помогает.

Для материнских плат Asus Maximus:

• Поиграйте с режимами Maximus Tweak Modes – бывает, что один из них работает, а другой нет.
• Можно включить Round Trip Latency в разделе Memory Training Algorithms, чтобы плата пыталась натренировать значения RTL и IOL.
• Если возникают проблемы с загрузкой, стоит попробовать изменить значения Skew Control. Подробнее здесь (англ.)

Сильное влияние tXP (а затем PPD) на латентность памяти показывает AIDA64.

RTT Wr, Park и Nom могут оказать огромное влияние на разгон. Идеальные значения зависят от конкретной платы, конкретного чипа памяти и объёма. «Оптимальные» значения позволяют получить более высокие частоты при наименьшем напряжении контроллера памяти. Некоторые платы предлагают auto значения (MSI), другие – нет (Asus). Поиск лучшей комбинации занимает много времени, но весьма полезен для продвинутого тюнинга.

На некоторых материнских платах включение XMP благоприятно сказывается на разгоне.

AMD

Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. Этот параметр определяет импеданс встроенной терминации (On-Die Termination, ODT) процессора. По данным Micron, более высокие значения ProcODT могут повысить стабильность работы RAM, но при этом может потребоваться более высокое напряжение. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом, поскольку его контроллер памяти гораздо слабее. Для Ryzen 3000 и 5000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. Более низкие значения не гарантируют безотказную работу, но теоретически позволяют снизить требования к напряжению. Более высокие же значения могут способствовать стабильности, хотя, по словам Micron, увеличивать значения ODT более 60 Ом имеет смысл только если контроллер памяти уж очень слабый, а некоторое повышение энергопотребления не окажет негативного влияния на систему в целом. Это согласуются с настройками, предлагаемыми пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.

Понижение напряжения SoC и/или VDDG IOD может помочь восстановить стабильность.

На Ryzen 3000/5000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на DDR4-3600 и выше. Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

При увеличении частоты FCLK до 1800 МГц периодические возникаемые ошибки Memory Training Error могут быть сокращены или полностью устранены путем увеличения VDDG CCD

Подготовлено по материалам GitHub.

Разгон памяти, дело добровольное. Как понять, от чего зависит разгон памяти, какие есть тонкости в подборе комплектующих и как «прогнать» память, чтобы было за нее не стыдно!
Изучение, анализ и подбор – три составляющих успеха в разгоне памяти. Чтобы начать разгонять память без погружения в пучины технических знаний, необязательно быть специалистом. Половина успеха зависит от платформы, вторая часть – это правильный выбор ранговости, количество модулей и частот памяти Kingston и HyperX.

Чипсеты Intel

Со стороны Intel производитель предлагает россыпь процессоров от начального до топового уровня — есть из чего выбирать. В качестве основы «синих» систем сейчас присутствует 2 поколения чипсетов и их возможности в плане разгона ЦП и памяти очень тривиальны. Официально Intel считает всего одну модель чипсета пригодной для разгона и это семейство Z 390/490. Все остальные проходят мимо.

Впрочем, из-за этого процесс выбора сведен к простому, казалось бы, выбору, но нет. С Z 390/490 все просто – определились с количеством интерфейсов, разъемов PCIe/USB и т.п. Нашли подходящую материнскую плату и купили. Зашли в BIOS или программу для разгона и попали в новый таинственный мир удивительных открытий. Если разгон не нужен, то покупаем любую подходящую плату. А с третьим вариантом притормозим. Хотя компания Intel официально и не признает разгон памяти на любых версиях чипсета за исключением двух ранее упоминавшихся, но производители стараются открыть пользователям скрытые возможности. В зависимости от модели могут быть доступны настройки (базовые или расширенные) таймингов памяти и делители (только ниже частоты, указанной в спецификации Intel для выбранного процессора). Например, некоторые удачные версии плат на чипсете B460/H470 все же наделены опциями по тонкой настройке таймингов памяти и форсировании режимов Turbo на процессорах, так называемая фиксация PL режимов (перевод работы процессора в постоянно поддержание турбо частоты).

Кстати, о доступных частотах памяти на младших B460/H410/H470: фактически, платы либо самостоятельно выставляют частоту памяти по спецификациям Intel (легко проверить, найдя интересующий вас процессор на сайте ark.intel.com и посмотреть на строку «Типы памяти»), либо при первой загрузке ставится минимальная частота согласно спецификации JEDEC (обычно все настройки поддерживаемых частот записаны в микросхеме SDP). Q470 – чипсет аналог Z490 по периферийным интерфейсам, но без разгона процессора. Оставшийся в списке W480 стоит особняком. Он поддерживает разгон памяти и можно выставить повышенные множители для Dram, однако в продаже плат с ним практически не найти.

Тонкости контроллера памяти и разводки плат

Если бы в компьютерном мире все было бы просто, то жить было бы легче! Увы, или к счастью, это не так. Помимо загрузки вашей головы типами чипсетов для разгона памяти важны и другие характеристики комплектующих. Начать стоит со второй составляющей и это контроллер памяти в процессоре. На последних 5 поколениях этот аппаратный блок напрямую связан с System Agent в ЦП и с шиной. Объективно, несмотря на постоянство в выборе тех. процесса (14 нм и различные улучшения +, ++, +++) компания постоянно улучшает их способности держать более высокие частоты без запредельно высоких напряжений. Вспоминая разгон памяти на процессорах от Kaby Lake до Comet Lake, нельзя отрицать тот факт, что процесс упростился, а финальные частоты выросли. Не последнюю очередь это связано с более тщательным подходом написания таблиц таймингов и субтаймингов в XMP комплектов памяти. Это серьезно упрощает алгоритм материнской платы по первоначально загрузке, хотя некоторые производители вносят либо слишком короткий список таймингов, забывая о вторичных/третичных, либо сильно повышают напряжение на контроллер памяти и системный агент. Такие действия приводят систему в нестабильное состояние, а часто повышенное напряжение перегревает процессор. Поэтому стоит внимательно подходить к выбору комплекта памяти. А помимо ранее озвученных составляющих разгона Dram чуть не упустили из виду правильность разводки слотов.

Топология

Для DDR4 обычно используют два вида разводки слотов — Daisy chain и T-topology.

T-Topology обладают редкие экземпляры материнских плат и приспособлены для лучшего разгона 4 модулей памяти. T-Topology разводка позволяет достичь частот более 4 ГГц сразу на 4 планках Dram, в то время как Daisy chain с 2 модулями добирается в руках пользователей до частоты более 4,5 ГГц.

Daisy chain – разводка оптимизирована для 2 модулей памяти. При условии удачного процессора и хорошо разгоняемой памяти лучше выбирать такие платы с 2 занятыми слотами Dimm. Второй вариант разводки косвенно можно отличить по рекомендациям производителей устанавливать память сначала в последние слоты, которые являются своего рода первыми в очереди в логической цепочке ответвлений от контроллера памяти.

Ранги

С топологиями разводки каналов разобрались, переходим к рангам памяти…

Ранг памяти — это блок или область данных, которые создаются с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. Не стоит путать ранги с расположением микросхем памяти на текстолите. Результаты разгона памяти с двумя рангами довольно печальные, контроллеру памяти и шине тяжело справлять с четырьмя рангами. Максимум, что доступно — от 3466 МГц при CL14 до 3600 МГц при CL16. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Узнать о количестве рангов можно из расшифровки модулей на сайте производителя, либо через утилиты Thaiphoon/Aida64/ CPU-Z.

В программе Thaiphoon легко определить производителя микросхем, организацию модуля памяти, ранговость и остальные параметры.

• Manufacturer – производитель микросхем;
• Die Density / Count – Емкость одной микросхемы в Гбитах и кодовое название. Его обычно используют в профильных форумах для ориентации среди различных версий микросхем. Обычно говорят Samsung B-die, либо Micron E-die;
• Composition – организация банков в одной микросхеме памяти (2048 Мбит*8=16 Гбит);
• Capacity – емкость всего модуля памяти, в скобках указано количество микросхем;
• Organization – в этом поле можно точно узнать ранговость вашей памяти (1/2 ranks);

Постепенно, начиная с конца 2019 года, Kingston переходит на использование 16 Гбит чипов памяти. Поэтому емкие комплекты Dram организуются из 16 Гбит микросхем с одноранговой адресацией, емкостью 16 ГБ и двухранговой 32 ГБ.

Промежуточный итог

Вкратце, для материнских плат с разводкой:

Daisy chain — лучший вариант для разгона 2 модулей памяти с одноранговой организацией, чуть хуже планки с двумя рангами. Следующая комбинация, состоящая из 4 Dimm с одним рангом, а далее с двумя рангами.

Для T-topology — для разгона подходят 4 модуля памяти с одноранговой организацией, но можно устанавливать 2 модуля с двумя рангами. Совсем неподходящая комбинация 2 или 4 модуля с двумя рангами.

По уровню разгона согласно мировой статистике: 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die.

Чипсеты AMD

Легко выбрать, сложно разогнать! С платформой AMD AM4 все с одной стороны просто в вопросе выбора чипсета, а с другой — во много раз сложнее. Любой современный чипсет AMD поддерживает разгон памяти и процессора, даже сверхбюджетный A520. Другое дело, что некоторые производители материнских плат урезают в BIOS нужны пункты меню, например, редактор PBO режимов. Но в целом, начиная с B450 разгон возможен в полной мере.

О контроллере

Zen 2/3 поколения Ryzen оснащаются контроллером памяти, ведущий свою родословную со времен Bulldozer. Конечно, в него внесены изменения для DDR4, но контроллер построен на все том же 12-нм техпроцессе. В Zen 3 он не претерпел никаких изменений, однако благодаря новой компоновке ядер Zen 3 лишился одной промежуточной шины IF, что положительно сказалось на времени доступа к ОЗУ.

Почему же разгон на AMD сложнее и требует некоторого объема знаний?

Из-за использования специальной шины Infinity Fabric, которая связывает между собой отдельные блоки в процессоре, именуемые CCX. Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Начиная со второго поколения Zen получил дополнительный режим, когда частота IF принимает значение частоты памяти, а также 1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона. Идеальным режимом работы IF для максимальной производительности все еще остается соотношение 1:1. Не будем вдаваться в подробности, но для игр соотношение работы памяти и IF 1 к 1 дает несколько вариантов оптимальных частот – это 3600, 3800 МГц. В зависимости от удачи, если вам попадется счастливый билет вытянуть процессор со стабильно функционирующим IF в 4 ГГц, то можем вас поздравить, вы уникальный человек.

Разумным выбором для процессоров Ryzen 3ххх было и остается использование модулей памяти DDR4-3600 или DDR4-3733. Предельная частота шины Infinity Fabric составляла 1800-1867 МГц. Далее переключался делитель, который позволял разгоняться памяти выше, но дивидендов система не получала. Все это касается и новых Ryzen 5xxx серии. Происходит это потому, что вместе с IF синхронно увеличивается частота L3-кеша, тем самым поднимая пропускную способность внутри процессора.

О памяти для AMD

Теперь вы ознакомлены с нюансами работы контроллера памяти, шины IF и L3-кеша, а что же с выбором материнской платы. Как и ранее упомянутые топологии (Daisy chain и «Т»), для процессоров AMD производители выпускают оба типа плат с большим перевесом в сторону Daisy chain. Поэтому оптимальные рекомендации по памяти выглядят следующим образом:

Покупка одноранговой памяти в количестве 2 штук максимального объема для максимального разгона. Чипсет не важен, будь то B550 или Х470/570. Этот совет распространяется на 90% любых конфигураций с процессорами AMD. Совсем неоднозначные результаты разгона достигаются на двухранговых модулях памяти. В промежутке стоит комплект с четырьмя одноранговыми модулями. Завершает парад система с четырьмя двуранговыми планками памяти. Как определить топологию материнской платы под AMD? Спасибо, интернету, все за нас определено. Достаточно пройти по ссылке и найти интересующую материнскую плату.

Вернемся к подбору памяти исходя из топологии купленной материнской платы. Конечно, установив память в систему и запустив программу, мы со 100% уверенностью скажем, сколько рангов в нашей памяти. Но есть инструмент и проще, без покупки «кота в мешке». Заходим на страницу памяти, выбираем интересующие нас параметры (тайминги, цвет, объем, подсветку) и смотрим в описание. Для примера рассмотрим два комплекта Fury X объемом 32 Гб и 64 Гб.

64 ГБ комплект HyperX FURY DDR4 RGB, состоящий всего из 2 модулей создан в двухранговой конфигурации. Об этом нам сообщает надпись 2Rx8.

В случае с аналогичным комплектом, но объемом 32 ГБ организация планок превращается в одноранговый тип (1R). Вот такой простой способ определении рангов, используемых в памяти.

Программы, таблицы, алгоритмы помогающие разгонять память

Для платформы Intel

Не всегда память может стартовать с готовых настроек XMP, особенно высокочастотная. Поэтому сначала начните с применения профиля XMP, но на частоте 3200 МГц. В BIOS обязательно убираем MRC Fast boot. Запишите основные тайминги и откройте программу тайфун, чтобы узнать, с какими чипами имеете дело. Запустите TestMem5 и сделайте непродолжительный тест. Для уменьшения времени грубой настройки не ждите часами, при стабильности в несколько минут можно идти и снижать тайминги. Снижайте и изменяйте их по одному, выискивая нестабильные показатели. Обязательно записывайте значения, какие тайминги были нестабильными. Не пытайтесь выставить предельно низкие тайминги или высокую частоту памяти сразу. С двумя модулями и высокой частотой (более 4 ГГц) CR выставить на 2, если стоит 1. С 4 модулями сразу можно начинать тест на значении CR 2. Изменения таймингов лучше начать с CL и RCD. Многие чипы не «любят» синхронных значений, для них CL всегда будет меньше, чем RCD. RAS сразу пробуйте по формуле RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше влияние исчезает. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. Выставите FAW до 16, далее плавно опускайте RRD до 4. При ошибках воспользуйтесь формулой FAW= RRDL*4. Имейте в виду, что обычно RRD_L>=RRD_S, CKE=5, СCDL>=4.

RDRD_DD и похожие значения требуют внимания при использовании всех 4 слотов Dimm. Значение определять опытным путем и тестированием. Это тонкие настройки для стабилизации работы всех 4 планок.
RDWR_SG(DG) и похожие пункты меню в BIOS опускайте до минимальных, но рабочих значений. Для стабильности сделайте +2 к ним.

RFC настраивать можно в самом конце. Его не нужно понижать или повышать сверх меры, просто найдите число в стабильном диапазоне, который обычно бывает от +20 до +40 пунктов от базового.

REFi требует подгонки с тестированием и стандартно проявляет себя по принципу больше — лучше. Находится в зависимости от значения RFC. Последнее описывает статус времени отдыха памяти, а первый – работы.

Тестируйте тщательно, в том числе на холодную и с перезагрузками.

• Asrock Timing Configurator 4.0.4 – просмотр таймингов;
• Asus MemTweakIt 2.02.44 — просмотр таймингов;
• TestMem5 — тест памяти на стабильность и ошибки;

Для платформы AMD

Открываем программу тайфун и смотрим, какие используются чипы памяти. Далее запускаем калькулятор DRAM Calculator for Ryzen и выбираем начальную частоту (начинать стоит с 3200 МГц) и ваши чипы памяти. В обязательном порядке проходимся по таймингам из калькулятора и вручную заносим их в BIOS’е. Скачиваем программы Ryzen Master, TestMem5, опционально Aida64. Ryzen Master нам понадобится для отслеживания таймингов и сопротивлений, TestMem5 для проверки стабильности, а Aida64 для быстрого и сравнительного замера производительности памяти. Если даже с частотой в 3200 МГц система не стартует, то меняем в большую сторону procodt и tRTP, перед этим tRFC2 и tRFC4 выставляем в автоматическом режиме. Успешное прохождение теста TestMem5 позволит вам выбрать два пути дальнейших действий: при небольшом количестве ошибок можно увеличить напряжение на памяти, при отсутствии пробуем поднимать частоту. По достижении частоты 3600 МГц советуем начать ужимать тайминги.

• DRAM Calculator for Ryzen – база готовых наборов для разгона и подбора таймингов памяти;
• ZenTimings — проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;
• AMD Ryzen Master – официальная программа от AMD для разгона процессоров и памяти;
• TestMem5 0.12 1usmus V3 config – тест памяти на стабильность и ошибки;
• Ryzen Timing Checker – проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;

Выводы

Разгон памяти – это хождение по минному полю без металлодетектора, основываясь только на собственной обостренном чутье. Чтобы сократить число минут, процесс стоит начинать с выбора правильной материнской платы, подходящего комплекта памяти и опыта других людей. Коллективный разум и десятки тысяч часов, проведенных в поисках оптимальных комбинаций настроек и параметров, плавно заполонили FAQ. Допустим, вы прекрасно понимаете, какие комплекты памяти подходят для daisy chain или Т-топологии материнских плат. Отличаете 1 и 2 ранговую память. Научились определять производителя микросхем, но немаловажно будет отметить существование QVL листов совместимости у производителей материнских плат. Однако, не найдя требуемого комплекта памяти, не расстраиваетесь. Опыт, ошибки, внимательность позволят вам через n-ное число часов найти те самые настройки, при которых и 2 различных комплекта Kingston (2 ранговых) общим объемом в 96 ГБ будут стабильно работать в неподходящей материнской плате.

Для получения дополнительной информации о продуктах Kingston Technology обращайтесь на официальный сайт компании.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

• Подготовка
• Ожидания и ограничения
  • Материнская плата
  • Микросхемы
    • Отчёты Thaiphoon Burner
    • О рангах и объёме
    • Масштабирование напряжения
    • Ожидаемая максимальная частота
    • Биннинг
    • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
    • Ранговость
  • Встроенный контроллер памяти (IMC)
    • Intel – LGA1151
    • AMD – AM4
• Разгон
  • Нахождение максимальной частоты
  • Пробуем повысить частоты
  • Оптимизация таймингов
  • Дополнительные советы
    • Intel
    • AMD

Подготовка

• Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
• Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
• Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
• С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
• Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
• TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
• Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:Extreme1@anta777».
• Благодарность: u/nucl3arlion
• Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
  • Intel: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством материнских плат, за исключением EVGA).
  • AMD:
    • Ryzen 1000/2000: Ryzen Timing Checker.
    • Ryzen 3000: Ryzen Master.
• Бенчмарки (тесты производительности):
  • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
  • MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
  • Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
  • HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

• Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
• На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
  • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
  • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
  • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
  • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

  Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

  Микросхемы (чипы памяти)

  Отчёты Thaiphoon Burner

  • Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

  

  • Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

  

  По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

  • Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

  

  О рангах и объёме

  • Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
  • Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

  Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

  
  Масштабирование напряжения CL11

  На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

  Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

  Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
  8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
  8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
  8 Гб Rev. E	Да	Нет	Да	?
  8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да

  Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

  
  Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

  Ожидаемая максимальная частота

  Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

  Чип	Ожидаемая максимальная частота (МГц)
  8 Гб AFR	3600
  8 Гб CJR	4000*
  8 Гб Rev. E	4000+
  8 Гб B-die	4000+

  * – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

  Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

  Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

  Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

  B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

  Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

  Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

  А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

  Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

  Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

  Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

  Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

  Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

  Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

  • 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die. На основе оценок buildzoid’а.

  Встроенный контроллер памяти (IMC)

  IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

  Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:

  
  предоставлено: Silent_Scone.

  Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

  Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

  Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
  3000-3600	1,10 – 1,15
  3600-4000	1,15 – 1,20
  4000+	1,20 – 1,25

  Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

  tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

  В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

  Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

  В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

  SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

  На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

  «На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые тайминги.

Нахождение максимальной частот

На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

• Asrock: VID для разгона SoC у AMD в подменю BIOS скрыты. Значения VID (Voltage ID).
• Asus: VDDCR SOC.
• Gigabyte: Dynamic Vcore SOC.

Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.

В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

• Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ. У меня 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14 Гб.
• Минимальные рекомендуемые значения Coverage:
  • MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
  • Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

  6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

  7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

  8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

  Пробуем повысить частоты

  2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
  3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
  4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
  5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

  Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы

  Оптимизация таймингов

  Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.

  • Я бы рекомендовал выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.
  • Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = ddr_freq*num_channels*64/8.

  Частота (МГц)	Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
  3000	48000
  3200	51200
  3400	54440
  3466	55456
  3600	57600
  3733	59728
  3800	60800
  4000	64000

  • Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-95% от теоретической максимальной пропускной способности.

  На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)

  • Попробуйте отключить GDM и установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте GDM включенным.
  • Попробуйте установить параметр CR на 1T. Если это не поможет, оставьте CR в 2Т.

  2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

  Тайминги	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRRDS tRRDL tFAW	6 6 24	4 6 16	4 4 16
  tWR	16	12	10

  3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).

  • Начинайте с tCL и уменьшайте его на 1 до появления нестабильности.
  • То же самое проделайте с tRCD и tRP.
  • После того, как вышеупомянутые тайминги будут подтянуты до предела, выставите tRAS по формуле tRAS=tCL+tRCD(RD)+2* и tRC по формуле tRC=tRP+tRAS.
    • Если tRAS будет ниже, то возникнут проблемы с производительностью.
    • Установка tRC доступна только в UEFI AMD и некоторых Intel.
    • * – Для Micron Rev. E, похоже, нужно выставлять tRAS=tCL+tRCD(RD)+4 (ну, по крайней мере для моих планок так).

  4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

  • Перевод в нс: 2000*timing/ddr_freq. Пример: tRFC 250 на 3200 МГц = 2000*250/3200 = 156,25 нс.
  • Перевод из нс: ns*ddr_freq/2000. Пример: 180 нс на 3600 МГц = 180*3600/2000 = 324.

  Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

  Чип	tRFC (нс)
  8 Гб AFR	260-280
  8 Гб CJR	260-280
  8 Гб Rev. E	300-350
  8 Гб B-die	160-180

  5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tWTRS tWTRL	4 12	4 8	—
  tRTP	12	10	8
  tCWL	tCL	tCL-1	tCL-2

  На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.

  6. Третьестепенные тайминги:

  Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

  Я предлагаю так:

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

  Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.

  Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
  tRDRD_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6
  tWRWR_sg/dg/dr/dd	8/4/8/8	7/4/7/7	6/4/6/6

  • О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 5.
  • Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9.
  • Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг.

  А тут тайминги на B-die, к сведению.

  tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.

  Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.

  7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

  Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX

  Дополнительные советы

  • Увеличение частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, 3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и 3200 16-18-18, однако 3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью.
  • Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на частоте 3200 МГц, то скорее всего они и на 3600 МГц будут работать так же, и даже на 4000 МГц, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.
  • Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на частотах выше 3600 МГц.
  • Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.
  • Для уменьшения значений RTL и IOL следует увеличивать значения IOL-офсетов (IOL offsets). Подробнее здесь (англ.)
  • Пользователям материнских плат Asus Maximus, имеющим проблемы с загрузкой, стоит попробовать настроить значения управления перекосами (skew). Подробнее здесь (англ.)
  • Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом. На Ryzen 3000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. С ними согласуются настройки, предлагаемые пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.
  • Понижение напряжения SoC может помочь восстановить стабильность.
  • На Ryzen 3000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на частотах выше 3600 МГц.

  Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

  Также будет интересно:

  • Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX (видео)

  Источник

Исправляем ошибку Access violation at address – инструкция

Иногда при запуске игры или программы возникает ошибка Access violation at address, которая сообщает о проблеме на стороне прав доступа. Но это вовсе не означает, что действуют какие-то ограничения. Причем неважно в каком виде она появилась:

• read of address 00000000
• in module
• write of address
• the bat
• Или каком-то другом. Это все одно и то же.

В переводе на русский означает «Нарушение доступа по адресу». Но что это за проблема и как ее исправить? Давайте разбираться.

Диагностика памяти

Первый шаг — запустить диагностику памяти. Есть два способа, как это сделать:

1. Универсальный, используя утилиту Memtest.
2. Для пользователей Windows 10 и 8. Разберем его подробнее.

В строку поиска вводим слово «памяти» и запускаем средство.

Выбираем первый пункт с пометкой «рекомендуется». Система перезагрузится и начнется сканирование.

Дождитесь завершения процедуры и посмотрите на графу «Состояние». Ошибок быть не должно. При их наличии выньте ОЗУ и протрите контакты ластиком, затем установите обратно. Если это не поможет, то замените старые планки новыми.

Чистый запуск

Предлагаю запустить компьютер в чистом режиме, чтобы узнать, не вызывает ли проблему одна из установленных программ.

1. Введите msconfig в строке «Выполнить», комбинация «WIN + R».
2. Переместитесь в «Службы» и скройте все от «Майкрософт». Отключите оставшиеся.
3. Проделайте то же самое в разделе «Автозагрузка».
4. Перезагрузите компьютер.

Если это устранило неполадку, то снова активируйте программы и отключайте их по одной, чтобы выявить неисправную. Часто сбой вызывают антивирусы, блокируя в целях безопасности некоторые приложения.

Удаление программ

Как говорил ранее, ошибку Access violation at address могут вызывать некоторые приложения. Чаще всего это fl studio, Artmoney, txdworkshop. Поэтому удалите лишние через деинсталлятор «Your Uninstaller» или любой другой. Желательно это делать из безопасного режима.

Если в безопасный режим войти не удается, то откройте диспетчер задач «CTRL + SHIFT + ESC», во вкладке «Процессы» найдите нужную утилиту и правым щелчком мыши откройте ее расположение. После этого удалите процесс.

Теперь, находясь в этой папке удалите содержимое.

Если приложение нужно, то попробуйте переустановить его. Предварительно очистив Windows утилитой «Ccleaner».

Сканирование на предмет ошибок

Некоторые системные файлы могут отсутствовать или быть повреждены. Желательно проверить это и исправить. Делается в автоматическом режиме с помощью команд в командной строке.

DISM /Online /Cleanup-Image /RestoreHealth – нужен доступ в интернет.

Напишите их и нажмите после каждой «Enter». По завершении перезапустите ПК.

Проверка системных компонентов

Стоит убедиться, что в реестре указаны компоненты Windows, отвечающие за правильную ее работу.

Будьте осторожны при редактировании реестра, неправильные действия могут нарушить работу ОС. Действуйте четко по инструкции.

1. Войдите в редактор через «WIN + R» — regedit.
2. Перейдите по пути HKLMSOFTWAREMicrosoftWindows NTCurrentVersionWinlogon и найдите два параметра: Userinit и Shell. Дважды щелкните по каждому из них. Убедитесь, что в графе «Значение» указаны правильные пути. При необходимости измените их.

Shell (должен ссылаться на исполняемый файл) – explorer.exe

Userinit (должен ссылаться на исполняемый файл) — C:Windowssystem32userinit.exe

По окончании перезапустите компьютер.

Редактирование DEP

Возможно, ошибку Access violation at address (in module, read of address) вызывает компонент «DEP», блокирующий в целях безопасности некоторые программы. В качестве решения предлагаю внести приложение в список исключений.

Как это сделать:

1. Откройте «Свойства» ярлыка «Компьютер».
2. Перейдите в «Дополнительные параметры».
3. Во разделе «Дополнительно» щелкните по «Параметры» быстродействия.
4. Зайдите в «Предотвращение выполнения» и активируйте последний параметр с пометкой «кроме выбранных ниже». Укажите нужное приложение через кнопку «Добавить».

Выключение UAC

Большинство приложений разработанных на базе Java не работают из-за включенного контроля учетных записей, сокращенно «UAC». Давайте выключим его.

1. Откройте классическую «Панель управления».
2. Войдите в раздел «Учетный записи».
3. Щелкните по изменению контроля.
4. Передвиньте ползунок вниз до появления пометки «Никогда не уведомлять».

Другие способы решения

Если ничего не помогло, то предпримите следующие действия.

Помните, что Вы можете рассчитывать на мою помощь. Для этого напишите мне в комментариях.

Ошибка Access violation at address … in module

Каждый, кто знаком с ОС Windows знает, что невозможно пользоваться компьютером, не столкнувшись с ошибками и проблемами. Многие из них можно решить обычной перезагрузкой системы. Но встречаются и такие, при которых невозможно продолжить работу. Одной из таких ошибок является «Access violation at address … in module». Читайте далее, как её исправить.

Причины появления ошибки Access violation at address … in module

Данная ошибка может возникать, когда процесс обращается не к тому типу памяти или она не предназначена для использования этого приложения. Она может возникать при запуске игр, использовании любых программ или медиа проигрывателей. Этому может способствовать как сбой в самой системе и архитектуре файлов на диске, так и при влиянии вирусного программного обеспечения. Часто еще этот сбой возникает, когда пользователь пытается открыть файл или обратиться к нему, но по адресу его нет.

Ошибку могут спровоцировать программы, которые были разработаны неумелыми программистами. Чтобы не сталкиваться с этой проблемой, нужно скачивать программное обеспечение только с официальных сайтов.

Как избавиться от ошибки обращения к памяти

Ошибка появляется при попытке выключить компьютер, перезагрузить его или поменять свой профиль. Но часто так и не удается это сделать из-за системного сообщения. Приходится либо выключить устройство из розетки, либо выключать его долгим нажатием кнопки питания Power . Перед тем, как устранять ошибку Access violation at address … in module, проверьте хранилище вирусов вашего антивирусного программного обеспечения. Возможно некоторые файлы, к которым вы пытались обратиться, были помещены сюда. Такие данные для системы будут уже не доступны.

1. Чтобы это сделать, найдите значок на панели задач (трее) в виде стрелочки, нажмите её и появятся скрыты значки.
2. Здесь выберите значок антивируса ПКМ.
3. В контекстном меню обычно находится пункт «Карантин».

Выберите его и проверьте содержимое. Если найдете там файлы программ, которым вы доверяете — удалите их из карантина. Если ошибка Access violation at address продолжается, необходимо переустановить данную программу и внести в антивирусе в список доверенных.

После этого попробуйте перезапустить компьютер и войти в ОС через последнюю удачную конфигурацию.

1. Для этого при появления начального экрана нажмите клавишу F8 и не отпускайте до тех пор, пока не появится окно с несколькими способами запуска.
2. Выберите «Запуск последней удачной конфигурации».
3. В этом случае будет использована система с конфигурацией драйверов и реестра, которые работали до этого стабильно.

Выберите последнюю удачную конфигурацию в Windows

Проверка запуска оболочки Windows

Следующим шагом в исправлении ошибки Access violation at address … in module будет проверка запуска оболочки операционной системы.

1. Откройте окно ввода команд — WIN+R.
2. Введите следующую команду «Regedit» и подтвердите, нажав Enter.
3. Откроются ветки, здесь выберите HKEY_LOCAL_MACHINE.
4. Далее найдите ниже SOFTWARE.
5. Здесь отыщите ветку Microsoft, ниже выберите Windows NT и CurrentVersion.
6. И наконец выберите Winlogon.

Когда вы откроете последнюю ветку в правой части появится окно со списком ключей и параметров, найдите здесь Shell. Его необходимо открыть как обычную папку, дважды нажав мышью. В исправной системе здесь должно быть значение Explorer.exe. Если у вас стоит иное — исправьте его и сохраните изменение. Точно так же нужно проверить ключ Userinit. Здесь по умолчанию установлено C:windowssystem32userinit.exe. Если здесь указано что-то другое — исправьте. Далее выйдите из редактора и закройте все окна. Перезагрузите компьютер и проверьте, появляется ли ошибка.

Чистка системного реестра Windows

В некоторых случаях при ошибке Ошибка Access violation at address in module помогает очистка системного реестра.

1. Для этого вполне сгодится программ CCleaner, которую можно скачать по ссылке https://www.ccleaner.com/ru-ru.
2. Загрузите и установите её.
3. Откройте и выберите слева «Реестр».
4. Нужно активировать внизу «Анализ», далее появится кнопка «Очистить».

Иногда ошибка появляется при работе в интернете с браузера. В этом случае нужно открыть меню, найти здесь расширения и плагины, и удалить все ненужные. Если установлен плагин AddBlock, то он также может способствовать проблемам с работой некоторых приложений. Его нужно удалить. После этого нужно перезагрузить компьютер.

Другие методы решения ошибки «Access violation at address …»

Далее нужно попытаться восстановить файлы, которые возможно были удалены самим пользователем, антивирусами или вирусам. Для этого понадобится дистрибутив с текущей операционной системой Windows. Вставьте его в привод и следуйте дальнейшей инструкции:

• выберите внизу рабочего стола «Пуск» и введите в поиске «Командная строка»;
• в результатах выберите её ПКМ и нажмите «От имени администратора»;
• в черном окне введите «sfc /scannow» без кавычек.

Будет произведена проверка файлов на жестком диске. Эта команда сканирует файловую систему жесткого диска и, если находит сбои в системных файлах автоматически исправляет их. Компьютер будет перегружен в процессе. Если этот способ снова не помог вам устранить проблему «Access violation at address … in module», попытайтесь вернуть рабочую систему при помощи точек сохранения.

1. Снова откройте меню «Пуск», выберите поисковую строку и введите «Восстановление».
2. В результатах найдите «Восстановление системы» — выберите его.
3. Выберите пункт, который запустит восстановление.
4. В следующем окне нужно будет выбрать точку, которую система создала ранее.
5. Выберите её и подтвердите свои действия.

В этом случае система также будет перезагружена и возвращена к состоянию сохраненной точки. Проверьте, возникает ли сейчас ошибка. В тексте данной ошибки часто указан модуль и программа, с которой возникают проблемы. Найдите эту программу на своем компьютере и удалите её, а затем заново установите. Это можно сделать в панели управления.

1. Выберите кнопку «Пуск», затем найдите справа раздел «Панель управления».
2. В следующем окне отыщите «Восстановление или удаление программ».
3. В списке найдите проблемное ПО и выберите кнопку «Удалить» на панели инструментов или в самом блоке (в зависимости от версии ОС).
4. Далее вам нужно снова установить ПО из дистрибутива.

Восстановление или переустановка системы

Если ни один из методов вам не помог решить эту ошибку, попробуйте сделать восстановление с участием диска Windows.

1. Для этого вставьте в привод диск и перезагрузите компьютер.
2. Войдите в настройки подсистемы BIOS и выберите загрузку с дисковода.
3. Перезагрузите компьютер и активируйте загрузку с оптического диска.
4. После того, как будут установлены временные файлы, вы увидите окно, где предлагается переустановить систему с несколькими вариантами. Выберите «Восстановление системы».
5. Далее найдите необходимое восстановление и нажмите «Готово».

Когда будет выполнено восстановление, проверьте наличие ошибки на компьютере. В том случае, если она снова возникает, придется переустановить Windows. Это можно сделать, не затрагивая файловый раздел жесткого диска. Это значит, что вы можете переустановить только систему на диске C:, а другие диски, где обычно хранятся файлы пользователя не трогать. После переустановки системы вы точно избавитесь от ошибки Access violation at address … in module.

Ошибка Access violation at address и способы решения

Основная проблема с которой сталкиваются пользователи ПК — является «синий экран смерти». Его появление может свидетельствовать о проблемах с исполняемыми системными файлами которые подверглись изменениям или перезаписыванию. Решение возникших сложностей не всегда можно назвать простыми. Одни решаются буквально за пару минут, а у других следует определить корень. Исходя из информации которую нам предоставляет Windows, мы следует процедуре восстановления повреждённых объектов файловой системы. Некоторые ради экономии времени или по незнанию начинают полную переустановку, но мы с Вами попытаемся решить ошибку без данной процедуры.

Причины возникновения и разновидности

Нам хотелось бы выделить основные текстовые и кодовые представления ошибки встречаемые пользователями. В большинстве случаев помогает полная переустановка системы. Данная процедура решит большинство проблем, при перезаписи исполняемых файлов. Замена битых файлов совершенно новыми — один из вариантов решения.

Основной причиной возникновения можно назвать нарушение целостности системы. При рассмотрении ошибки «Access violation» мы взяли за исходные материалы сами исполняемые процессы. При детальном рассмотрении можно обнаружить, что процесс обращается к .dll файлам у которых затёрты заголовоки. В результате мы видим на экране «Access violation at address $ (где символ $ — код процесса) in module«. Определение причины по коду можно сделать из панели администрирования Windows.

Дополнительной серьезной причиной могут служить битые секторы в которые при дефрагментации были записаны корневые файлы. Обычно это драйвера или .dll-ки папки Виндовс.

Способы решение ошибки

Нам потребуется заняться восстановлением целостности системы. Хорошо поможет специальная команда встроенная в операционную систему. Для ее вызова, следуем инструкции:

1. Нажимаем WIN+R для открытия диалогового окна ввода команды.
   
2. Пишем команду cmd и нажимаем ОК.
   
3. На экране отобразится терминал работы с системой:
   
4. Вводим команду «sfc/scannow«.
5. Нам предложат перезагрузить систему для исправления ошибок.
6. Перезапускаемся и ничего не нажимаем. Начнется автоматическая проверка целостности файлов.
7. После запуска, вновь заходим в терминал и вводим команду «chkdsk C: /f /r«. Она проверит жесткие диски на битые секторы и заблокирует их, предварительно перенеся файлы в безопасное место.
   
8. Ошибка Access violation at address должна исчезнуть.

Второй способ заключается в стандартных действиях которые каждый пользователь должен выполнять ежедневно.

1. Займитесь проверкой и обновлением системы до последней версии.
2. Обновите драйвера видеокарт, если Access violation появляется при запуске игры.
3. Исполняемые файлы VC++ должны быть в актуальном состоянии. Скачать можно с официального сайта Microsoft.
4. Произведите дефрагментацию диска С. Это поможет перенести данные в рабочие секторы жесткого диска (если у вас SSD, то пропускаем шаг).

источники:

http://lifehacki.ru/oshibka-access-violation-at-address-in-module/

http://marmok.ru/pc/oshibka-access-violation-at-address-i-sposoby-resheniya/